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TVS瞬态保护器件选型方法论与场景适配技术指南 一、选型核心方法论 1. 电压参数匹配 反向截止电压（VRWM） 计算公式：VRWM ≥ 电路最高工作电压 × 1.2 示例：12V汽车系统需选VRWM ≥ 14.4V（如SMAJ15A） 钳位电压（Vc）验证 约束条件：Vc(max) ≤ 被保护器件耐压值 × 0.8 测试要...
查看更多内容网口ESD防护器件选型关键技术指南 一、核心选型参数与技术要求 工作电压匹配原则 器件工作电压（Vrwm）需高于网口信号电压20% 典型值： 百兆网口：≥5V 千兆网口：≥3.3V PoE供电端口：≥48V 结电容限制标准 网络类型 最大允许结电容 信号衰减临界...
查看更多内容CMOS的ESD保护电路设计准则：全面指南与最佳实践 在现代集成电路（IC）设计中，CMOS技术（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）已成为主流，但由于其微小尺寸和高灵敏度，IC极易受静电放电（ESD）的损害。因此，ESD保护电路的设计至关重要，它能防止设备在制造和使用过程中因静电...
查看更多内容瞬态电压抑制二极管（TVS）作为现代电子设备防护体系的核心元件，通过其纳秒级响应特性与高浪涌吸收能力，为各类精密电路提供针对瞬态过电压的有效保护。其在静电放电（ESD）、雷击浪涌及开关噪声抑制等场景中均表现出不可替代的技术优势。 一、工作原理：基于雪崩击穿的高效防护机制...
查看更多内容一、ESD二极管的核心作用与工作原理 ESD（静电放电）二极管是一种瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子电路免受静电放电的损害。其工作原理基于PN结的反向击穿效应： 正常状态：二极管处于高阻抗（反向偏置），对电路信号无影响。 ESD事件：当静电电压超过击穿阈值（VBR）时，PN结...
查看更多内容共模电感抑制电磁干扰（EMI）的功能原理-ASIM阿赛姆 1. 引言 电磁干扰（EMI）是电子设备中常见的问题，可能导致信号失真、性能下降甚至系统故障。共模电感（Common Mode Choke, CMC）作为一种关键的无源元件，通过抑制共模噪声有效提升设备的电磁兼容性（EMC）。其设计原理基于对高频...
查看更多内容由于电子产品的迅速发展，其体积趋小，集成度高，主要依赖计算机后处理并与声、光、磁、生物等多学科结合的医疗器件实现了大规模生产，日常生活中应用的电子产品数量日益增多。与此同时，静电对电子设备造成的损伤事件也随之频繁发生。 静电对电子产品损害特性 静电造成的...
查看更多内容一、ESD二极管结构分类与原理 1. 单向ESD二极管 结构：单PN结，阳极（A）连接被保护线路，阴极（K）接地。 工作原理： 正向导通：正常信号无影响（低压降）； 反向钳位：ESD负压脉冲触发雪崩击穿，泄放电流至地。 典型型号： ESD5A002SA（SOD-323封装，漏电流<...
查看更多内容静电放电（ESD）是电子设备失效的主要诱因之一，其破坏机制复杂且具有多重物理特性。根据IEC 61000-4-2标准及行业实践，ESD对电子产品的损害可归纳为以下四大核心特性，并需采取相应的防护措施。 高电压特性：瞬间击穿与器件失效 典型参数 接触放电：±30kV（如TVS二极管ESD24B450T的耐...
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2020年9月16日，大客户部”李经理“在深圳观澜格兰云天国际酒店为我司客户讲解产品知识以及EMC保护器件选型。 企业简介： 阿赛姆科技位于深圳市龙华新区银星高科技产业园，是一家电子保护元器件自主研发、销售及EMC设计、EMC技术支持的国家高新科技企业。 公司主营产...
尊敬的各位新老客户朋友： 你们好！为答谢广大新老客户长期以来的支持，为方便大家的产品静电ESD整改和测试，我司决定免费开放公司ESD静电实验室供新老客户使用，可以现场整改并验证方案。同时，我司配备专业静电ESD技术支持工程师全程配合，协助分析并提供解...
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