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400-014-4913
ESD管(静电防护二极管)与TVS管(瞬态电压抑制二极管)虽同属浪涌防护器件,但在响应速度、钳位精度、通流能力、结电容四大核心参数存在显著差异。本文基于IEC 61000-4-2/4-5标准实测数据,揭示两者在高速接口、电源防护等场景的适用边界。
参数 | ESD管 | TVS管 |
---|---|---|
核心目标 | 纳秒级静电放电(ESD)防护 | 微秒级浪涌/EFT防护 |
响应时间 | 0.3~1ns(PS级) | 1~5ns(NS级) |
半导体结构 | 多级PN结集成(低电容设计) | 单PN结雪崩结构(高耐压) |
典型封装 | DFN0603/SOD882(<0.1mm²) | SMA/SMB(散热增强) |
器件类型 | 典型电容值 | 对5Gbps信号影响 |
---|---|---|
ESD管 | 0.05~0.3pF | 眼图抖动<0.1UI |
TVS管 | 20~50pF | 信号衰减>3dB |
案例1:智能手表充电口ESD失效
案例2:光伏逆变器雷击损坏
接口 → ESD管(纳秒级响应) → TVS管(吸收剩余能量) → 主电路
典型应用:
测试项目 | 单独ESD管 | 单独TVS管 | 联合方案 |
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8kV ESD残压 | 5.2V | 15V | 4.8V |
100A浪涌耐受 | 失效 | 通过 | 通过 |
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