ESD管焊接温度过高会直接损伤其内部结构，进而导致器件失效或性能大幅下降。

一、PN 结热损伤

ESD器件的核心是PN结，其掺杂浓度与结深决定了钳位电压与响应速度。当焊接峰值温度超过260 ℃、持续时间>10 s时，硅内本征载流子浓度呈指数上升，反向漏电流通道提前形成；若温度继续升高，局部雪崩区进入热-电流失控，载流子倍增与焦耳热正反馈，可在μs级时间内把结区推至600–800 K，硅晶格发生位错、间隙原子重组，结特性由整流变为纯电阻，钳位电压漂移，ESD防护窗口收窄。激光损伤实验同样证实，当结区温度接近1000 K，响应度下降两个数量级，反向恢复时间延长，器件失去瞬态箝位能力。

二、封装与键合失效

高温通过两条路径侵入封装：

1. 塑封体玻璃化转变温度普遍在150–200 ℃，260 ℃以上模塑料开始软化，吸湿率骤增；回流后再冷却，内部水气冷凝形成微裂纹，密封等级下降，后续潮热循环中铝线发生电化学腐蚀，键合点出现紫斑开路。
2. 引线键合采用Au或Al丝，其再结晶温度分别为约250 ℃和150 ℃。焊接峰值长时间停留在245 ℃以上，金属丝晶粒粗化，抗拉强度下降30 %–50 %；同时塑封料与引线框架热膨胀系数差异产生剪切位移，第二焊点颈部因疲劳出现微裂纹，最终表现为“二断丝”失效。

三、热应力开裂

芯片-焊料-框架三层结构的热膨胀系数依次约为2.6×10⁻⁶、22×10⁻⁶、17×10⁻⁶ /K。焊接冷却阶段，若降温速率>3 K/s，芯片边缘受到拉应力峰值可达300 MPa，接近硅断裂强度；微裂纹自芯片背面起源，沿{111}面扩展至有源区，漏电流增加，极端时整片碎裂。陶瓷基板与环氧树脂界面同样因热失配产生分层，热阻增大，器件在后续工作温升中加速退化。

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结语

焊接温度每升高10 ℃，ESD器件内部失效概率近似翻倍。严格控制峰值温度≤260 ℃、时间<10 s，并在批量前做回流焊+ESD双重验证，是避免PN结热损伤、封装开裂和键合疲劳的最低成本方案。