高分子ESD优化I/O与通信端口静电防护的关键技术
来源:Asim(ASIM整理发布) 时间:2025-07-25
高分子ESD静电抑制器技术规格与应用指南
产品背景: 应对电子产品面临的静电放电(ESD)威胁,高分子ESD静电抑制器被开发出来,提供高效可靠的静电防护。
技术描述:
- 名称: 高分子ESD / ESD静电抑制器
- 材料: 高分子聚合物(POLYMER)电压诱变材料 + 高电分子核心
- 结构: 内部菱形分子规则离散排列
- 机制: 静电超阈值时,内部分子瞬间尖端放电泄放至地
- 效果: 保护敏感设备,不导致信号失真
- 关键参数: 工作电压 (Operating Voltage)、触发电压 (Trigger Voltage)、钳位电压 (Clamping Voltage)
核心性能参数:
- 电气寿命: >300,000次 ESD 事件
- 电容值: <0.05 pF (典型值范围 0.05~0.2pF)
- 响应时间: <1 ns (典型值范围 0.5ns~1ns)
- 工作频率: DC to 6 GHz
- 峰值脉冲电流: 35A (8/20μs)
- 漏电流: <1 nA
- 失效模式: 开路 (Open Circuit)
- 性价比: 成本低,长期稳定性优异
典型应用:
- 适用设备: 移动电话、MP3/MP4播放器、PMP便携媒体播放器、GPS设备
- 适用接口: IEEE 1394, USB 2.0, InfiniBand, HDMI, DVI 等高速数据传输电路
- 适用原因: 极低电容和漏电流、低钳位电压、纳秒级响应速度,完美满足低压、高速电路对保护器件的要求,最大限度减小对高速数据信号完整性的影响。