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导语 当48V混动系统遭遇ISO 16750-2标准测试的100V浪涌时,TVS二极管以0.5ns响应速度将电压钳制在安全阈值。本文用工程视角拆解其防护机制,并揭示VBR/VC/IPP等参数如何影响系统生死。 一、防护机制:三级动态防御体系 1. 雪崩击穿触发(纳秒级响应核心) 物理过程:反向电压>VBR → ...
查看更多内容ESD静电二极管及其选型 ESD 静电二极管(静电释放保护二极管)是一种过压、防静电保护元件,专门为高速数据传输应用中的 I/O 端口保护而设计。它的核心作用是保护电子产品内部的敏感电路免受 ESD(静电放电)的损害。 静电放电是一种客观存在的自然现象,难以完全避免。静电通常...
查看更多内容在工业自动化、能源电力等严苛场景中,RS-485通信系统面临共模浪涌、地电位差、ESD三重威胁。单一防护方案往往存在局限性,而TVS二极管与隔离芯片的协同设计可构建分层防护体系,实现99.9%的通信可靠性。以下是关键设计策略: 一、威胁场景与协同防护原理 威胁类型 TVS防护作用 隔...
查看更多内容深圳市阿赛姆电子有限公司(ASIM) 是国内领先的EMC保护器件供应商,提供包括ESD保护器、TVS二极管、共模电感等核心产品。其中,ASIM的SOD-882(0402封装)系列ESD保护器件采用先进的TRENCH MOS工艺技术,型号ESD3V3D003TA和ESD5D003TA具备以下优势: ✅ 超低电容:最低可达0.25pF ...
查看更多内容ESD二极管:守护电子设备的静电防护核心 静电放电(ESD)峰值达30kV/100A,仅需100ns即可损坏敏感电路。当人体(绝缘体)接触接地金属时,摩擦电荷瞬时释放——这种0.1μJ能量足以击穿IC芯片。Asim电子的ESD二极管以0402高分子封装(0.4×0.2mm)实现0.3pF超低结电容,成为蓝牙耳机等便携设备的隐...
查看更多内容互补式金属氧化物半导体(CMOS)是一种集成电路的设计工艺,可在硅质晶圆模板上制出互补的NMOS和PMOS元件。 随着集成电路技术的发展,CMOS电路尺寸不断缩小,栅氧化层厚度减薄,芯片面积增大,导致MOS管承受的电流和电压减小,而外围使用环境未变化,因此需要进一步优化电路的抗静电放电(ESD)...
查看更多内容在GHz级电磁兼容设计领域,高频共模电感的选型精度直接决定电路抗干扰能力。本文深度解析核心参数协同策略,助力工程师精准匹配高频场景需求。 高频选型核心挑战 材料特性与频率的深层博弈 高频共模电感性能受磁芯材料物理特性严格制约: 磁导率极限:传统铁氧体在1GHz频段磁导率衰减...
查看更多内容TWS耳机ESD静电防护方案 随着TWS(真无线立体声)耳机市场爆发式增长,产品小型化与高可靠性需求推动ESD防护成为关键环节。静电干扰不仅可能直接损坏电路,还会导致信号失真、连接中断等隐性故障。阿赛姆电子针对蓝牙...
查看更多内容高分子ESD静电抑制器技术规格与应用指南 产品背景: 应对电子产品面临的静电放电(ESD)威胁,高分子ESD静电抑制器被开发出来,提供高效可靠的静电防护。 技术描述: 名称: 高分子ESD / ESD静电抑制器 材料: 高分子聚合物(POLYMER)电压诱变材料 + 高电分子核心 结构: 内部菱...
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